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Transistor STP11NM60
Transistor Mos-fet STP11NM60 11A 650V
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- Transistor, Polaridad N Channel
- Intensidad Drenador Continua Id 11A
- Tensión Drenador/Fuente (Vds) 650V
- Resistencia en Estado ON (Rds) 0.45ohm
- Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
- Tensión Umbral Vgs 4V
- Disipación de Potencia Pd 160W
- Diseño de Transistor TO-220
- Núm. de Contactos Macho 3Pines
- Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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