Transistor STP11NM60 Ver a tamaño completo

Transistor STP11NM60

Transistor Mos-fet STP11NM60 11A 650V

Más detalles

RSTP11NM60

7,30 €

  • Transistor, Polaridad N Channel
  • Intensidad Drenador Continua Id 11A
  • Tensión Drenador/Fuente (Vds) 650V
  • Resistencia en Estado ON (Rds) 0.45ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
  • Tensión Umbral Vgs 4V
  • Disipación de Potencia Pd 160W
  • Diseño de Transistor TO-220
  • Núm. de Contactos Macho 3Pines
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C