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TRANSISTOR SPA11N80C3
Transistor MOSFET canal N 11A 800v
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 450 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.9V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 41 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 64 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Serie | CoolMOS C3 |
| Ancho | 4.85mm |
| Longitud | 10.65mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 9.83mm |
| Material del transistor | Si |
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