TRANSISTOR SPA11N80C3 Ver a tamaño completo

TRANSISTOR SPA11N80C3

Transistor MOSFET canal N 11A 800v

Más detalles

RSPA11N80C3

3,75 €

Tipo de CanalN
Corriente Máxima Continua de Drenaje11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
Tipo de EncapsuladoTO-220
Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Conteo de Pines3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente450 mΩ
Modo de CanalMejora
Tensión de umbral de puerta máxima3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima2.1V
Disipación de Potencia Máxima41 W
Configuración de transistorSimple
Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip1
Carga Típica de Puerta @ Vgs64 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
SerieCoolMOS C3
Ancho4.85mm
Longitud10.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
Altura9.83mm
Material del transistorSi