Transistor FDD770N15A Ver a tamaño completo

Transistor FDD770N15A

Transistor MOSFET, FDD770N15A, N-Canal, 11,4 A, 150 V, 3-Pin, DPAK

Más detalles

RFDD770N15A

1,10 €

Tipo de canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje11,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente0,077 Ω
Tensión de umbral de puerta mínima2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente±20 V
Tipo de EncapsuladoDPAK
Tipo de MontajeMontaje superficial
Conteo de Pines3
Modo de CanalMejora
CategoríaMOSFET de canal
Disipación de Potencia Máxima56,8 W
ConfiguraciónÚnico
Tiempo de Retardo de Encendido Típico10,3 ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
Número de Elementos por Chip1
Carga Típica de Puerta @ Vgs8,4 nC a 10 V
Dimensiones6.73 x 6.22 x 2.39mm
Tiempo de Retardo de Apagado Típico15,8 ns
Capacitancia de Entrada Típica @Vds575 pF@ 75 V
Altura2.39mm
Ancho6.22mm
Longitud6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C