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Sin marcas
Tipo de canal N | |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11,4 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,077 Ω |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
Tipo de Encapsulado | DPAK |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de canal |
Disipación de Potencia Máxima | 56,8 W |
Configuración | Único |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10,3 ns |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 8,4 nC a 10 V |
Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 15,8 ns |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 575 pF@ 75 V |
Altura | 2.39mm |
Ancho | 6.22mm |
Longitud | 6.73mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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