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| Tipo de canal N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11,4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,077 Ω |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de canal |
| Disipación de Potencia Máxima | 56,8 W |
| Configuración | Único |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10,3 ns |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 8,4 nC a 10 V |
| Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 15,8 ns |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 575 pF@ 75 V |
| Altura | 2.39mm |
| Ancho | 6.22mm |
| Longitud | 6.73mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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